Durante os dias 25 de agosto e 1 de setembro, a FEI marcou presença no “Chip in the Jungle”, o congresso internacional mais importante no campo da microeletrônica e microtecnologias, realizado anualmente no Brasil. Na edição deste ano, sediada em Manaus (Amazonas) ocorreram cinco eventos distintos que, juntos, formam o maior fórum da América Latina.

Ao todo, tivemos a presença e participação de 21 FEIanos, sendo 5 professores, 1 pesquisador de pós-doutorado, 8 doutorandos, 4 mestrandos e 3 estudantes de graduação. Para orgulhar ainda mais a comunidade, nossos FEIanos ainda somaram no evento apresentando 18 artigos na SBMicro, tendo como 1º autor, sendo 14 trabalhos de forma oral e outros 4 com apresentações em formato de pôster. Outros 3 trabalhos da SBMicro contaram, também, com a co-autoria de FEIanos.

Tradicionalmente, a SBMicro consiste em um evento anual, voltado à área de micro e nanoeletrônica, que congrega pesquisadores das áreas de física dos dispositivos, caracterização elétrica, modelagem e simulação de componentes de última geração. Também são cobertas as áreas de medidas elétricas e de processos de microfabricação.

Confira a seguir a lista de trabalhos apresentados com autoria e co-autoria de FEIanos, em ordem alfabética:

Evento: SBMicro - 39th Symposium on Microelectronics Technology and Devices

1. Analysis of Total Ionizing Dose Effects in Power Transistors with Different Layout Designs; Paulo Garcia Junior (FEI); Alexis Cristiano Vilas Boas (FEI); Renato Camargo Giacomini (FEI); Nilberto Heder Medina (USP); Luis Eduardo Seixas (CTI Renato Archer); Marcilei Aparecida Guazzelli (FEI)
2. Calibrated TCAD Simulation of SOI Nanowire MOSFET down to 82K, João Victor da Silveira (FEI); Marcelo Pavanello (FEI)
3. Evaluation of Analog Parameters of nMOSFETs from a 180 nm Technology at Low Temperatures, Jessé Damião (FEI); Marcelo Pavanello (FEI); Michelly de Souza (FEI)
4. Evaluation of the Impact of RDF on the On-Current of a Nanowire Transistor through Quantum-Corrected Monte Carlo Simulations", Rhaycen Prates (FEI); Caroline Soares (Arizona State University); Gilson Wirth (UFRGS); Dragica Vasileska (Arizona State University); Marcelo Pavanello (FEI)
5. Evaluation of Threshold Voltage Variability in Inversion-Mode Nanowire Transistors at High Temperatures through Numerical Simulations; Lucas Mota Barbosa da Silva (FEI); Michelly de Souza (FEI)
6. Experimental Evaluation of Series Resistance in 7-Levels Stacked Nanosheet Transistors; Vinicius Prates (FEI); Marcelo Pavanello (FEI); Mikaël Cassé (CEA-Leti); Sylvain Barraud (CEA-Leti); Michelly de Souza (FEI)
7. High Temperature Electrical Behavior of MOSFETs with Half-Diamond Layout Style; Marco Aurélio Peixoto (CEFET-RJ e FEI); Luciano Camillo (CEFET-RJ); Salvador Gimenez (FEI)
8. Junctionless Nanowire Transistor-Based Current Mirror in High-Temperature Applications, André B. Shibutani (FEI), Renan Trevisoli (PUC-SP), Rodrigo T. Doria (FEI)
9. Magnetotransport Response of Neutron-Irradiated Highly Oriented Pyrolytic Graphite; Lucas Santos (FEI); Sueli Masunaga (USP e FEI); Marcilei Guazzelli (FEI); Eliane Chinaglia (FEI)
10. Methodology for Assessing Neutron-Induced Effects on Field-Programmable Gate Arrays; Alexis Vilas Bôas (FEI); Jorge Jimenez-Sanchez (University of Seville); Francisco Rogelio Palomo (University of Seville); Marcilei Guazzelli (FEI)
11. Physical Insights of Dickson Charge Pumping Circuits Composed of SOI UTBB Transistors, Fernando J. Costa (FEI), Ewerton T. Fonte (FEI), Renan Trevisoli (PUC-SP), Rodrigo T. Doria (FEI)
12. Proposal for Novel Applications of Advanced Geometries in Solar Cells Construction; Fernando Ribeiro (FEI); Salvador Gimenez (FEI)
13. Single Trap Effect on the Low-Frequency Noise of Junctionless Nanowire Transistors at Different Bias Conditions, Everton M. Silva (FEI), Renan Trevisoli (PUC-SP), Rodrigo T. Doria (FEI)
14. Simulation-Based Analysis of Maximum Deliver Power in Dickson Charge Pumps Using Diode-Mode UTBB Transistors, Ewerton T. Fonte (FEI), Renan Trevisoli (PUC-SP), Rodrigo T. Doria (FEI)
15. TID and SEE Effects on Low-Gain Avalanche Detectors: A Study of Oxide Charge Buildup and Gain Degradation, Pedro Romano (FEI); Thalia Alves (FEI); Marcilei Guazzelli (FEI); Leandro Santos (FEI); Renato Giacomini (FEI)

Evento: INSCIT - 9th International Symposium on Instrumentation Systems, Circuits and Transducers

1. Instrumentation and Automation of a Test Bench for Real-Time Torque Analysis; Isabella Campos (FEI) ; Gabriela Cristina Pedroso Brito (FEI); Juliana Paiva Santos (FEI), Renato Giacomini (FEI), Mielen Galeti (FEI); André Perin (FEI)

Evento: SForum - 25th Student Forum on Microelectronics

1. Electronic Systems Applied to Vertical Farming to Maximize Crop Growth Controlled and Monitored by Internet of Things Platforms; Felipe Chioro (FEI); Salvador Gimenez (FEI)
2. Extraction of the Effective Channel Length in Junctionless Nanowire Transistor. Marcelo dos Santos (FEI); Rodrigo Doria (FEI)

Artigos apresentados com co-autoria de FEIanos  (em ordem alfabética):

1. Influence of Drain Voltage as a Function of Spatial Charges on NBTI for Junctionless Nanowire Transistors Nilton Graziano Junior (UNESP); Rodrigo Doria (FEI); Renan Trevisoli (PUC-SP); Eduardo Canga Panzo (UNESP); Maria Glória Caño de Andrade (UNESP)
2. Total Ionizing Dose (TID) Effects on Variability and Mismatch in MOSFETs with Novel Layouts; Vinicius Peruzzi (CTI Renato Archer); Gabriel Augusto da Silva (FEI); Luís Eduardo Seixas Júnior (CTI Renato Archer); Wellington Romeiro de Melo (CTI Renato Archer); Saulo Finco (CTI Renato Archer); Salvador Pinillos Gimenez (FEI)
3. X-ray Radiation Effects on Matching Properties of of MOSFETs Implemented with Octagonal Layout Style: A Cluster-Based Statistical Approach; Vinicius Peruzzi (CTI Renato Archer); Gabriel Augusto da Silva (FEI); Luís Eduardo Seixas Júnior (CTI Renato Archer); Wellington Romeiro de Melo (CTI Renato Archer); Saulo Finco (CTI Renato Archer); Salvador Pinillos Gimenez (FEI)

Quer mais motivos para sentir orgulho da nossa comunidade?

No mesmo evento, além dos artigos apresentados, o aluno de Doutorado em Engenharia Elétrica, Jefferson Almeida Matos, recebeu o Prêmio José Camargo da Costa, por mérito da melhor dissertação de mestrado apresentado no 13º Concurso de Teses e Dissertações da Sociedade Brasileira de Microeletrônica.

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