Inovar faz parte da tradição e reconhecimento da FEI – Fundação Educacional Inaciana - em território nacional e internacional. Prova disso é a mais recente colaboração científica da instituição com o Leti - Laboratoire d'électronique des technologies de l'information da CEA (Comissão Francesa de Energia Atômica e Energias Alternativas ). Entre os dias 5 e 23 de fevereiro, a Vice-reitoria de Extensão e Atividades Comunitárias da FEI, Profa. Dra. Michelly de Souza, esteve na cidade de Grenoble, na França, para o desenvolvimento de uma missão científica em uma das maiores organizações mundiais de pesquisa aplicada nas áreas de Nanoeletrônica e Nanotecnologia.
“Com a realização desta missão científica, tive acesso a uma das principais infraestruturas mundiais na área de pesquisa e desenvolvimento em nanotecnologia. Além das pesquisas desenvolvidas durante a missão científica, trouxe para o Brasil amostras de dispositivos nanoeletrônicos do estado da arte. O acesso a estes dispositivos eletrônicos, apenas fabricados em pouquíssimos centros de pesquisa mundiais, permitirá que continuemos desenvolvendo pesquisa de alto nível na FEI, mundialmente competitiva, e de impacto na área de Nanoeletrônica. É um privilégio contribuir com os avanços tecnológicos nesta área tão importante”, ressaltou a docente e pesquisadora.
O projeto científico desenvolvido pela Vice-reitora da FEI, intitulado “Electrical Characterization of Advanced SOI MOSFETs”, apresenta um estudo focado em medidas elétricas em componentes eletrônicos de última geração. Esses componentes são considerados candidatos para serem usados nas gerações futuras de circuitos integrados, que compõem os computadores, smartphones, dentre outros equipamentos eletrônicos.
No estudo, a Vice-reitora – que também é Professora Titular do Departamento de Engenharia Elétrica da FEI – realizou medidas destes componentes eletrônicos em diferentes temperaturas de funcionamento, um fator que pode influenciar em seu desempenho. Na análise foram aplicadas temperaturas criogênicas, chegando a 4K (cerca de -270oC). Tecnicamente, a operação de componentes eletrônicos em baixas temperaturas, atingindo o regime criogênico, oferece melhoria de desempenho quando comparado à operação em temperatura ambiente, mostrando-se de grande importância para circuitos utilizados em computação quântica.
O projeto científico foi aprovado e financiado pela União Europeia. “De nosso conhecimento, este foi o primeiro projeto da América Latina aprovado neste programa, o que demonstra a qualidade e reconhecimento internacional da pesquisa desenvolvida na FEI na área de Nanoeletrônica e Circuitos Integrados”, explicou. Esse não é o primeiro contato e colaboração da FEI com o CEA-Leti. A colaboração em pesquisa mantida por professores da instituição com os cientistas da CEA-Leti, já resultou em diversas publicações de artigos científicos e formação de recursos humanos qualificados. Atualmente, o CEA-Leti conta com a presença de ex-alunos da FEI formados pelos programas de Pós-graduação em Engenharia Elétrica, atuando como pesquisadores. “Foi muito gratificante interagir com ex-alunos, egressos do Programa de Pós-Graduação da FEI, e hoje pesquisadores no CEA-Leti, o que reforça ainda mais a qualidade e o reconhecimento da FEI nesta área de atuação”, completou a Vice-reitora da FEI.
De volta ao Brasil, a Profa. Michelly de Souza também trouxe várias amostras de dispositivos nanoeletrônicos do estado da arte, desenvolvidos na França, para continuidade da colaboração científica em pesquisa com o CEA-Leti – projeto que prosseguirá em andamento ao longo dos próximos anos.
