Nos últimos anos, houve um aumento expressivo no uso de dispositivos semicondutores de potência baseados em nitreto de gálio (GaN) - um material promissor porque é capaz de suportar ordens de grandeza de maiores valores de tensão do que o silício, que constitui a base da maioria de dispositivos eletrônicos atuais – e, devido a esta característica, ele se destaca como excelente candidato para novos tipos de transmissores de sinais de longa distância com altos níveis de potência, para aplicações em eletrônica de potência, sistemas de radiofrequência e telecomunicações (como é o caso nos sistemas eletrônicos de energia e comunicação em satélites).
Considerando as várias aplicações que podem ser aprimoradas com o uso do GaN, é fundamental expor esse dispositivo também aos efeitos da radiação ionizante, pois é fundamental conhecer o comportamento desses novos dispositivos tecnológicos em relação aos efeitos causados com o da Dose Ionizante Total (TID).
Foi com essa preocupação que o aluno do mestrado em Engenharia Elétrica da FEI, Alexis Vilas Bôas desenvolveu uma pesquisa que descreve os efeitos do TID (Dose total ionizante) no transistor de potência baseado em tecnologia de GaN, antes, durante e após a exposição à radiação e também a comparação entre a exposição no modo On (biased) e no modo off. Também foi realizado testes deste dispositivo em chaveamento, nas mesmas condições de exposição. Esse dispositivo é de interesse no projeto CITAR e conta com o apoio do projeto INCT-FNA.
Em setembro, na França, Alexis apresentou os resultados de sua pesquisa no RADECS – 30th Radiation and its Effects on Components and Systems - congresso anual europeu mais importante sobre os efeitos da radiação em eletrônicos, dispositivos e sistemas opto eletrônicos, onde cientistas e engenheiros trocam os últimos avanços e resultados sobre os efeitos da radiação nos eletrônicos. Segundo o aluno, a experiencia foi muito importante, já que pode expor sua pesquisa e discuti-la com diversos pesquisadores internacionalmente reconhecidos, ambos de universidades e empresas. “Conheci alguns pesquisadores que possuem trabalho em tema semelhante e recebi e dei diversas dicas de como otimizar os trabalhos. O tema do meu trabalho é bastante atual o que me permitiu trocar muita experiencia com alunos e professores de outros países”.
A apresentação da pesquisa na França gerou frutos, tanto que pesquisadores que estiveram presentes no evento convidaram Alexis a submeter a sua pesquisa em outro importante evento da área, o SERESSA 2019 - 15th International School on the Effects of Radiation on Embedded Systems for Space Applications, realizado no início de dezembro, em Sevilha, na Espanha. Com o mesmo trabalho, além da apresentação, Alexis recebeu o prêmio de Melhor Trabalho. “Durante a apresentação respondi diversas perguntas, o que mostra o interesse internacional com o assunto e com a metodologia aplicada no trabalho. Quando percebi a situação em que me encontrei, me vi explicando para profissionais do CERN e da NASA. O feedback foi muito bom e, em minha visão a recepção ao trabalho foi muito boa, tanto pelas empresas, centros de pesquisas e universidades. Fiquei bastante feliz em me certificar que desenvolvemos aqui na FEI, pesquisas que estão no “estado da arte” em comparação com os padrões internacionais da área”.
